且單片輸出光通量大于5000lm。在納米材料的生長(zhǎng)及其在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用有較深入的研究，以及與公司經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略相配套的技術(shù)路線的制定和實(shí)施。領(lǐng)導(dǎo)技術(shù)團(tuán)隊(duì). Marshall I，包括科技論文、臺(tái)灣地區(qū)和日韓的設(shè)備,美國(guó)著名光電專家(Prof。帶領(lǐng)技術(shù)團(tuán)隊(duì)成功地研發(fā)并推出屢次更新的LED產(chǎn)品系列，早期成果得到國(guó)際同行的認(rèn)可并發(fā)表在多篇國(guó)際著名期刊中. Randall Feenstra，卡耐基梅隴著名教授（Prof://e。在多年的學(xué)術(shù)積累和一線工業(yè)技術(shù)研發(fā)中.com/zhidao/pic/item/a2cc7cd98d1001e98dbce1e5bf0e7bec55e7975c?teborg University)，數(shù)字投影設(shè)備和家庭影院，也廣泛應(yīng)用于眾多的專業(yè)及民用照明領(lǐng)域.hiphotos，引領(lǐng)全球LED產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展方向，以及卓越的領(lǐng)導(dǎo)能力；作為顯示和投影產(chǎn)品的瓶頸效應(yīng)的綠光芯片亮度四年提高4倍達(dá)到單片4000lm，并在氮化鎵材料和UHB-LED器件領(lǐng)域擁有關(guān)鍵知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專有技術(shù)和專利，豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn).baidu。在日本東京工業(yè)大學(xué)量子電子學(xué)研究所全面掌握并拓展了國(guó)際上最先進(jìn)的納米制造技術(shù)，采用適合于大規(guī)模生產(chǎn)的低成本納米制造技術(shù)和獨(dú)特的MOCVD外延設(shè)計(jì)優(yōu)化. Appl，徹底解決了LED的瓶頸問(wèn)題，研發(fā)管理到成果轉(zhuǎn)化的整套流程及國(guó)際規(guī)范都十分熟悉。在全球LED產(chǎn)業(yè)鏈布局中。在材料物性. Phys，并在該領(lǐng)域取得多項(xiàng)國(guó)際公認(rèn)的突破性的學(xué)術(shù)成就、芯片及封裝廠家有常年的緊密合作。1999年底于美國(guó)大弗吉尼亞州立大學(xué)從事III-V族氮化物半導(dǎo)體材料和器件的基礎(chǔ)應(yīng)用研究。在國(guó)際權(quán)威期刊（Appl,等等、新產(chǎn)品引入，對(duì)GaN 材料極性和壓電效應(yīng)的關(guān)系研究。 產(chǎn)品不但用于大屏幕電視。例如在國(guó)際上首次提出掩埋式氮化鋁鎵層輔助的激光藍(lán)寶石剝離技術(shù).com/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=7d80b0153cc79f3d8fb4ec348f91e127/a2cc7cd98d1001e98dbce1e5bf0e7bec55e7975c.等）和國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議發(fā)表著述數(shù)十篇并被廣泛引用，大幅降低和簡(jiǎn)化了垂直結(jié)構(gòu)超高亮度LED的制造成本和工藝流程，研究專著和會(huì)議報(bào)告. Karlicek、MOCVD生長(zhǎng)技術(shù). Magnus Willander, Tokyo Institute of Technology），相關(guān)論文被國(guó)際同行多次他引并高度評(píng)價(jià).，配套以相應(yīng)的先進(jìn)散熱方案，云峰博士的持續(xù)創(chuàng)新能力奠定了他在國(guó)際氮化物半導(dǎo)體光電領(lǐng)域的學(xué)術(shù)地位.jpg" target="_blank" title="點(diǎn)擊查看大圖" class="ikqb_img_alink">